Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 1 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

HS8K11TB
N.º de producto de DigiKey	HS8K11TBTR-ND - Cinta y rollo (TR) HS8K11TBCT-ND - Cinta cortada (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HS8K11TB
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 7 A, 11 A 2W Montaje en superficie HSML3030L10
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HS8K11TB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7 A, 11 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17.9mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.1nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	500pF a 15V
Potencia - Máx.	2W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-UDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	HSML3030L10
Número de producto base	HS8K11