GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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GNP1070TC-ZE2
N.º de producto de DigiKey	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GNP1070TC-ZE2
Descripción	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) DFN8080K
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V, 5.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	98mOhm a 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 18mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	200 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN8080K
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerDFN
Número de producto base	GNP1070