MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Montaje de chasis Módulo
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MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Montaje de chasis Módulo
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM300D12P3E005

N.º de producto de DigiKey
846-BSM300D12P3E005-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
BSM300D12P3E005
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
2 canales N (medio puente)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
300A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx) a Id
5.6V a 91mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
14000pF a 10V
Potencia - Máx.
1260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Número de producto base
BSM300
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