Canal N Montaje de chasis 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
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Canal N Montaje de chasis 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM300C12P3E201

N.º de producto de DigiKey
846-BSM300C12P3E201-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
BSM300C12P3E201
Descripción
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
300A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx) a Id
5.6V a 80mA
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
15000 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Número de producto base
BSM300
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