Name: BSM180D12P2E002
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM180D12P2E002-ND
Price: 676.5 USD
Availability: InStock

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BSM180D12P2E002
N.º de producto de DigiKey	846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	BSM180D12P2E002
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	204A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 35.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	18000pF a 10V
Potencia - Máx.	1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	Módulo
Número de producto base	BSM180