MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montaje de chasis Módulo
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MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montaje de chasis Módulo
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

N.º de producto de DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
BSM180D12P2E002
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos
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Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 35.2mA
Fabricante
Rohm Semiconductor
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
18000pF a 10V
Embalaje
Granel
Potencia - Máx.
1360W (Tc)
Estado de pieza
Activo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Configuración
2 canales N (medio puente)
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
204A (Tc)
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
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Granel
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