Name: AG096FPD3HRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG096FPD3HRBTLTR-ND
Price: 2.53 USD
Availability: InStock

AG096FPD3HRBTL
N.º de producto de DigiKey	846-AG096FPD3HRBTLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-AG096FPD3HRBTLCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-AG096FPD3HRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	AG096FPD3HRBTL
Descripción	NCH 100V 59A, TO-252 (DPAK), POW
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 59A (Tc) 76W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	59A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.8mOhm a 59A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 2.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1110 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	76W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

AG096FPD3HRBTL