
SSP1N60B | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 2156-SSP1N60B-ND |
Fabricante | Fairchild Semiconductor |
Número de pieza del fabricante | SSP1N60B |
Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 1A (Tc) 34W (Tc) TO-220 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 12Ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 215 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 34W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
| Granel: | 1100 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,100 | $0.27000 | $297.00 |

