Canal N Orificio pasante 450 V 3A (Tc) 75W (Tc) TO-3
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RFM3N45

N.º de producto de DigiKey
2156-RFM3N45-ND
Fabricante
Harris Corporation
Número de pieza del fabricante
RFM3N45
Descripción
N-CHANNEL POWER MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 450 V 3A (Tc) 75W (Tc) TO-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Harris Corporation
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
450 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
750 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-204AA, TO-3
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