Canal N Orificio pasante 80 V 35.6A (Tc) 83W (Tc) TO-3PF
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FQAF44N08

N.º de producto de DigiKey
2156-FQAF44N08-FS-ND
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante
FQAF44N08
Descripción
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 80 V 35.6A (Tc) 83W (Tc) TO-3PF
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Serie
QFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
34mOhm a 17.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1430 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa)
TO-3P-3 paquete completo
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