Name: FQA9N90-F109
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQA9N90-F109-ND
Price: 2 USD
Availability: InStock

FQA9N90-F109
N.º de producto de DigiKey	2156-FQA9N90-F109-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FQA9N90-F109
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) TO-3PN
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	QFET®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.3Ohm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	FQA9

FQA9N90-F109