Canal N Montaje en superficie 150 V 4.1A (Ta) 3W (Ta) 8-SO
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FDS2070N3

N.º de producto de DigiKey
2156-FDS2070N3-ND
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante
FDS2070N3
Descripción
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 150 V 4.1A (Ta) 3W (Ta) 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
78mOhm a 4.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1884 pF @ 75 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
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