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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
TPH3208LSG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | TPH3208LSG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | TPH3208LSG |
Descripción | GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) 3-PQFN (8x8) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 130mOhm a 14A, 8V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.6V a 300µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 42 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 760 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 96W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-PQFN (8x8) | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Obsoleto
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México