Canal N Montaje en superficie 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) 3-PQFN (8x8)
cms-photo-disclaimer
Canal N Montaje en superficie 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) 3-PQFN (8x8)
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3206LSB

cms-digikey-product-number
TPH3206LSB-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
TPH3206LSB
cms-description
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
cms-customer-reference
cms-detailed-description
Canal N Montaje en superficie 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) 3-PQFN (8x8)
cms-datasheet
 cms-datasheet
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
180mOhm a 10A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
2.6V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
720 pF @ 480 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.