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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
TPD3215M | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | TPD3215M-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | TPD3215M |
Descripción | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 600V 70A (Tc) 470W Orificio pasante Módulo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Renesas Electronics Corporation | |
Serie | - | |
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tecnología | GaNFET (Nitrito de galio) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 70A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 34mOhm a 30A, 8V | |
Vgs(th) (máx) a Id | - | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 28nC a 8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2260pF a 100V | |
Potencia - Máx. | 470W | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | Módulo | |
Número de producto base |
Obsoleto
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