TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

TP90H050WS
N.º de producto de DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP90H050WS
Descripción	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	63mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.4V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	980 pF @ 600 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	TP90H050