Name: TP65H480G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H480G4JSGB-TR-ND
Price: 2.18 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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TP65H480G4JSGB-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H480G4JSGB-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H480G4JSGB-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H480G4JSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H480G4JSGB-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 560mOhm a 3A, 6V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 500µA
Serie SuperGaN®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 414 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 13.2W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.6A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN