Canal N Orificio pasante 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) TO-247-4L
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TP65H050G4YS

N.º de producto de DigiKey
1707-TP65H050G4YS-ND
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante
TP65H050G4YS
Descripción
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Serie
SuperGaN®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
60mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.8V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1000 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-4
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$9.77000$9.77
10$6.71500$67.15
450$4.46249$2,008.12
Paquete estándar del fabricante
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