RJK5026DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation | FET simple, MOSFET

RJK5026DPP-M0#T2
N.º de producto de DigiKey	RJK5026DPP-M0#T2-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK5026DPP-M0#T2
Descripción	MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 6A (Ta) 28.5W (Tc) TO-220FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RJK5026DPP-M0#T2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7Ohm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	440 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	28.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FL
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	RJK5026

RJK5026DPP-M0#T2