Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 2.67 USD
Availability: InStock

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RJK0332DPB-01#J0
N.º de producto de DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Cinta y rollo (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK0332DPB-01#J0
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) LFPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.7mOhm a 17.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2180 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669
Número de producto base	RJK0332