HAT2192WP-EL-E Renesas Electronics Corporation | FET simple, MOSFET

HAT2192WP-EL-E
N.º de producto de DigiKey	HAT2192WP-EL-E-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	HAT2192WP-EL-E
Descripción	MOSFET N-CH 250V 10A 8WPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 10A (Ta) 25W (Tc) 8-WPAK (3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HAT2192WP-EL-E Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	230mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	710 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WPAK (3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	HAT2192

HAT2192WP-EL-E