PJD2NA60_L2_00001 Panjit International Inc. | FET simple, MOSFET

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PJD2NA60_L2_00001
N.º de producto de DigiKey	3757-PJD2NA60_L2_00001TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJD2NA60_L2_00001CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJD2NA60_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJD2NA60_L2_00001
Descripción	600V N-CHANNEL MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 2A (Ta) 34W (Tc) TO-252AA

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Panjit International Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.7 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 257 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 34W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.4Ohm a 1A, 10V	Número de producto base PJD2N

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Obsoleto

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PJD2NA60_L2_00001