NXH020F120MNF1PG
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NXH020F120MNF1PG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020F120MNF1PG

N.º de producto de DigiKey
5556-NXH020F120MNF1PG-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
NXH020F120MNF1PG
Descripción
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Plazo estándar del fabricante
17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montaje de chasis 22-PIM (33.8x42.5)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
-
Embalaje
Bandeja
Estado de pieza
Activo
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
Canal 4 N (puente completo)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
51A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
30mOhm a 50A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
4.3V a 20mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
213.5nC a 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2420pF a 800V
Potencia - Máx.
119W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
22-PIM (33.8x42.5)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Stock de fábrica: 28
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Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$129.89000$129.89
28$112.84214$3,159.58
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.