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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
NVXK2PR80WXT2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NVXK2PR80WXT2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NVXK2PR80WXT2 |
Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32 |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 208W (Tc) Orificio pasante APM32 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 31A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 116mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.3V a 5mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 56nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1154pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 208W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Uso automotriz | |
Calificación | AEC-Q101 | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo 32-PowerDIP (1.449", 36.80mm) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | APM32 |
En stock: 43
Stock de fábrica: 120
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $51.18000 | $51.18 |
| 10 | $38.75000 | $387.50 |
| 100 | $36.69640 | $3,669.64 |
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