Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.52 USD
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
N.º de producto de DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMTS1D2N08H
Descripción	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMTS1D2N08H Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 147 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10100 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 43.5A (Ta), 337A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFNW (8.3x8.4)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.1mOhm a 90A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 590µA	Número de producto base NVMTS1