Canal N Montaje en superficie 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
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Canal N Montaje en superficie 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
8-TDFN

NVMTS0D7N06CTXG

N.º de producto de DigiKey
488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR)
488-NVMTS0D7N06CTXGCT-ND - Cinta cortada (CT)
488-NVMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
onsemi
Número de pieza del fabricante
NVMTS0D7N06CTXG
Descripción
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante
41 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
onsemi
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
60.5A (Ta), 464A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.72mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
11535 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
5W (Ta), 294.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
NVMTS0
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En stock: 1,019
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$11.23000$11.23
10$7.77800$77.78
100$6.55570$655.57
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$5.35600$16,068.00
Paquete estándar del fabricante
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