Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 1.57 USD
Availability: InStock

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NVMFS6H852NLWFT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS6H852NLWFT1G
Descripción	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	36 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 80 V 11H (Ta), 42H (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 906 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Ta), 42H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 13.1mOhm a 10A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 45µA	Número de producto base NVMFS6