Name: NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NT1GOSTR-ND
Price: 3.56 USD
Availability: InStock

NVMFS6H818NT1G
N.º de producto de DigiKey	NVMFS6H818NT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMFS6H818NT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMFS6H818NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS6H818NT1G
Descripción	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	30 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMFS6H818NT1G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Ta), 123A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 190µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3100 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFS6

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,500	$1.17845	$1,767.67
3,000	$1.15687	$3,470.61

NVMFS6H818NT1G