Name: NVMFS6D1N08HT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6D1N08HT1GOSTR-ND
Price: 2.03 USD
Availability: InStock

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NVMFS6D1N08HT1G
N.º de producto de DigiKey	NVMFS6D1N08HT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMFS6D1N08HT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMFS6D1N08HT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS6D1N08HT1G
Descripción	T8 80V
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3.8W (Ta), 104W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 125µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2085 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFS6