Name: NVB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NVB082N65S3FOSTR-ND
Price: 10.42 USD
Availability: InStock

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NVB082N65S3F
N.º de producto de DigiKey	NVB082N65S3FOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVB082N65S3FOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVB082N65S3F
Descripción	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 40H (Tc) 313W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±30V
Serie SuperFET® III, FRFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3410 pF @ 400 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 82mOhm a 20A, 10V	Número de producto base NVB082
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 4mA