NTTFS4C05NTWG onsemi | FET simple, MOSFET

NTTFS4C05NTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS4C05NTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS4C05NTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS4C05NTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS4C05NTWG
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta), 75A (Tc) 820mW (Ta), 33W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTTFS4C05NTWG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta), 75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1988 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	820mW (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS4

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5,000	$0.46927	$2,346.35
10,000	$0.44761	$4,476.10

NTTFS4C05NTWG