Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 2 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NTTFD4D1N03P1E
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFD4D1N03P1E
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 12A (Ta), 54A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) Montaje en superficie 12-WQFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTTFD4D1N03P1E Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.3mOhm a 10A, 10V, 3.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15nC a 10V, 14nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1103pF a 15V, 972pF a 15V
Potencia - Máx.	1W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	12-PowerWQFN
Paquete del dispositivo del proveedor	12-WQFN (3.3x3.3)
Número de producto base	NTTFD4