Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 4.39 USD
Availability: InStock

NTMTS001N06CTXG
N.º de producto de DigiKey	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTS001N06CTXG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 53.7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	53.7A (Ta), 376A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.91mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8705 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 244W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NTMTS001

NTMTS001N06CTXG