Name: NTMFS5H630NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND
Price: 2.37 USD
Availability: InStock

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NTMFS5H630NLT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS5H630NLT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS5H630NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS5H630NLT1G
Descripción	MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 22H (Ta), 120H (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS5H630NLT1G Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 130µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2540 pF @ 30 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 22H (Ta), 120H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm a 20A, 10V	Número de producto base NTMFS5