Name: NTMFS5H630NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND
Price: 2.21 USD
Availability: InStock

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NTMFS5H630NLT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS5H630NLT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS5H630NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS5H630NLT1G
Descripción	MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 22A (Ta), 120A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS5H630NLT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2540 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NTMFS5