Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.67 USD
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS3D2N10MDT1G
Descripción	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2.8W (Ta), 155W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 316µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71.3 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19A (Ta), 142A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 50A, 10V	Número de producto base NTMFS3

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,500	$1.52363	$2,285.45

Paquete estándar del fabricante

NTMFS3D2N10MDT1G