Name: NTLJS4114NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJS4114NT1GOSTR-ND
Price: 1.46 USD
Availability: InStock

NTLJS4114NT1G
N.º de producto de DigiKey	NTLJS4114NT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTLJS4114NT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTLJS4114NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTLJS4114NT1G
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) 6-WDFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	µCool™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	35mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	650 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	NTLJS4114

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3,000	$0.35312	$1,059.36
6,000	$0.32747	$1,964.82

NTLJS4114NT1G