Name: NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L030N120M3S-ND
Price: 13.29 USD
Availability: InStock

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NTH4L030N120M3S
N.º de producto de DigiKey	5556-NTH4L030N120M3S-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTH4L030N120M3S
Descripción	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	73A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	39mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.4V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2430 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 703

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$13.29000	$13.29
30	$8.05767	$241.73
120	$6.91092	$829.31
510	$6.67288	$3,403.17

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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