Name: NTD18N06LT4G
Brand: onsemi
SKU: NTD18N06LT4GOSTR-ND
Price: 1.72 USD
Availability: InStock

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NTD18N06LT4G
N.º de producto de DigiKey	NTD18N06LT4GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTD18N06LT4GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTD18N06LT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTD18N06LT4G
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTD18N06LT4G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 9A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	675 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 55W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NTD18