Name: HUF76407D3ST
Brand: onsemi
SKU: 488-HUF76407D3STTR-ND
Price: 1.66 USD
Availability: InStock

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HUF76407D3ST
N.º de producto de DigiKey	488-HUF76407D3STTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-HUF76407D3STCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-HUF76407D3STDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	HUF76407D3ST
Descripción	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HUF76407D3ST Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UltraFET
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	92mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	HUF76