Name: FQD2N100TM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N100TMTR-ND
Price: 2.25 USD
Availability: InStock

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FQD2N100TM
N.º de producto de DigiKey	FQD2N100TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD2N100TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD2N100TM
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	QFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9Ohm a 800mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	520 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD2N100