Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 1.48 USD
Availability: InStock

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FDT86113LZ
N.º de producto de DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDT86113LZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDT86113LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) SOT-223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDT86113LZ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	315 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	FDT86113