FDS6670A onsemi | Productos de semiconductores discretos

FDS6670A
N.º de producto de DigiKey	FDS6670ATR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS6670ACT-ND - Cinta cortada (CT) FDS6670ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS6670A
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDS6670A Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2220 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	FDS6670

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.35412	$885.30
5,000	$0.35090	$1,754.50

FDS6670A