Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 1.04 USD
Availability: InStock

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FDN5632N-F085
N.º de producto de DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDN5632N-F085
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDN5632N-F085 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	82mOhm a 1.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	475 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	FDN5632