Name: FDMS0309AS
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS0309ASTR-ND
Price: 1.32 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDMS0309AS
N.º de producto de DigiKey	488-FDMS0309ASTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FDMS0309ASCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FDMS0309ASDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS0309AS
Descripción	MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®, SyncFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	21A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS03