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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
FDI150N10 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDI150N10OS-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDI150N10 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) TO-262 (I2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FDI150N10 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 16mOhm a 49A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4760 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 110W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 (I2PAK) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 717
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.64000 | $3.64 |
| 50 | $1.83880 | $91.94 |
| 100 | $1.66410 | $166.41 |
| 500 | $1.35800 | $679.00 |
| 1,000 | $1.25967 | $1,259.67 |
| 2,000 | $1.19213 | $2,384.26 |
México