Name: FDD86367
Brand: onsemi
SKU: FDD86367OSTR-ND
Price: 3.17 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDD86367
N.º de producto de DigiKey	FDD86367OSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86367OSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86367OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86367
Descripción	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Plazo estándar del fabricante	41 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 100H (Tc) 227W (Tj) TO-252 (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD86367 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4840 pF @ 40 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tj)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252 (DPAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm a 80A, 10V	Número de producto base FDD863
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA