FDD6696 onsemi | FET simple, MOSFET

FDD6696
N.º de producto de DigiKey	FDD6696-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD6696
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD6696 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1715 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD669

FDD6696