Name: FDD18N20LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD18N20LZTR-ND
Price: 2.87 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDD18N20LZ
N.º de producto de DigiKey	FDD18N20LZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD18N20LZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD18N20LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD18N20LZ
Descripción	MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 16A (Tc) 89W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1575 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 89W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Número de producto base FDD18N20
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 8A, 10V