Name: FDD13AN06A0-F085
Brand: onsemi
SKU: FDD13AN06A0-F085TR-ND
Price: 2.31 USD
Availability: InStock

FDD13AN06A0-F085
N.º de producto de DigiKey	FDD13AN06A0-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD13AN06A0-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD13AN06A0-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD13AN06A0-F085
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	49 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD13AN06A0-F085 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.9A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD13AN06

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.62059	$1,551.47
5,000	$0.58475	$2,923.75

FDD13AN06A0-F085