FDB9406-F085 onsemi | FET simple, MOSFET

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FDB9406-F085
N.º de producto de DigiKey	FDB9406-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB9406-F085CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB9406-F085
Descripción	MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 110H (Tc) 176W (Tj) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDB9406-F085 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 138 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7710 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Disipación de potencia (Máx.) 176W (Tj)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 110H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8mOhm a 80A, 10V	Número de producto base FDB9406
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (13)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
NVMYS1D3N04CTWG	onsemi	3,845	NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND	$3.17000	MFR recomendado
BUK761R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7133-2-ND	$2.17017	Similar
BUK961R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	3,029	1727-1895-1-ND	$5.35000	Similar
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	18	IPB015N04LGATMA1CT-ND	$5.71000	Similar
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	326	IPB015N04NGATMA1CT-ND	$5.58000	Similar

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