Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 6.01 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDB024N08BL7
N.º de producto de DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB024N08BL7CT-ND - Cinta cortada (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB024N08BL7
Descripción	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 120H (Tc) 246W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13530 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 246W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FDB024
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm a 100A, 10V